陈奇网络工作室

DDRSDRAM内存开发历史

服务器

DDR SDRAM是一种数据传输速率为两倍的SDRAM,数据传输速率为系统时钟频率的两倍,速度更快,传输性能优于传统的SDRAM。 DDR SDRAM可以在系统时钟的上升沿和下降沿传输数据。

SDRAM

在1个时钟周期内只传送1次数据,它在时钟上升期间进行数据传送; 另一方面,DDR可以在1个时钟内进行2次数据传输。 也就是说,在时钟的上升期间和下降期间各传送一次数据。 英尚微电子介绍DDRSDRAM存储器的发展历程。

(1) ) ) )。

DDR SDRAM

数据速率同步动态随机存取存储器,是DDR SDRAM的两倍。 在SDR SDRAM升级版中,由于DDR SDRAM在时钟周期的上升沿和下降沿各传送一次信号,所以数据传送速度

SDR SDRAM

的两倍。 此外,这样做不会增加功耗。 地址指定和控制信号与SDR SDRAM相同,仅在上升沿传输。 这是对当时内存控制器的兼容性和性能的折中。

DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽,由SDR SDRAM时两个合二为一,常见工作电压为2.5V,第一代DDR存储器频率为200MHz,然后逐渐过渡到DDR-266、DDR-333和那个时代的主流DDR-333 DDR内存问世之初只有单通道,后来出现了支持双通道的芯片组,将内存带宽提高了一倍。 双通道DDR-400内存可以基本满足FBS 800MHz的奔腾4处理器,容量从128MB到1GB。

(2) ) ) )。

DDR2 SDRAM

DDR2/DDR IISDRAM是由JEDEC开发的新一代存储器技术标准,与上一代的DDR存储器技术标准最大的不同在于,采用了在同一时钟的上升沿/下降沿同时进行数据传输的基本方式

DDR2SDRAM

但是,内存的预读能力是前代DDR内存的两倍。 这意味着4位数据读取预取。 也就是说,DDR2内存的读写速度是外部总线的4倍,运行速度是内部控制总线的4倍。

DDR2的标准电压降至1.8V,这比前代产品更节能了。 DDR2频率为400MHz至1200MHz,当时的主流是DDR2-800,更高的频率实际上是超频,容量为256MB至最大4GB,但4GB的DDR2很少,在DDR2时代末期几乎是一根

(3) ) )。

DDR3 SDRAM

DDR3提供了比DDR2 SDRAM更高的性能和更低的电压,是DDR2 SDRAM的后续产品,也是当前流行的内存产品规范。

与前代DDR2相比,DDR3在许多方面制定了新的标准。 核心电压降至1.5V,预取从4位变为8位。 这也是DDR3提高带宽的密钥,可以在相同的核心频率DDR3下提供DDR2的2倍的带宽。 此外,DDR3还增加了CWD、Reset、ZQ和STR

DDR3内存与DDR2一样是240Pin DIMM连接器,但两者的防脱位置不同,不能混淆。 典型的容量为512MB到8GB,当然也有单个16GB的DDR3存储器,但是极少。 从800MHz开始频率,现在购买了比较容量最高的频率2400MHz。 实际上制造商已经发售了3100MHz的DDR3存储器,只是很难买到。 支持DDR3内存的平台包括英特尔后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等LGA 1366平台、LGA 115x

(4) ) )。

DDR4 SDRAM

从DDR到DDR3,每一代DDR技术的内存预取位数加倍。 前三个分别为2位、4位和8位,以实现将内存带宽加倍的目标。 但是,DDR4通过预取位保留了DDR3的8位设计。 DDR4用于增加存储体数量,因为连续预取16位的两倍难度太高。使用两组BG,每组数据可以达到16位,每组BG可以达到32位操作,但这会提高预取位宽

DDR4和DDR3的最大区别在于16比特预取机制,DDR3为8比特,在相同的内核频率上理论速度是DDR3的2倍。 更可靠的传输规格进一步提高了数据的可靠性,工作电压降至1.2V,更加节能。

DDR4内存针脚数量从DDR3的240个增加到284个,漏洞也不同于DDR3的位置。 此外,DDR4的金手指在中间高度和两侧低处有少量曲线,而前一个内存的金手指是平的,DDR4在卸下内存时比DDR3更容易,同时保持与DIMM插槽的足够信号接触面积。

像UMI这样的

32位DDR4 SDRAM

、UMI UD408G5S1AF的密度为8Gb,数据速率为

3200 Mbps/2933 Mbps/2666 Mbps/2400 Mbps/2133 Mbps/1866 Mbps/1600 Mbps。 业务用温度范围为0至95,工业用温度范围为-40至95。 支持在UltraScale FPGA设备中的应用有助于确保最大定时裕度。 为了确保最佳的信号完整性,I/O技术也包含传输预增强、接收均衡、低抖动时钟、噪声隔离设计技术。 英尚微电子支持DDR4SDRAM内存接口的样品发送和测试。

不同类型DDR内存性能参数的比较

从DDR到DDR4,不同性能参数的差异主要体现在电源电压、数据传输速度两个方面。 电源电压值越来越低,但数据传输速度呈几何级数增长。

详情请访问云服务器、域名注册、虚拟主机的问题,请访问西部数码代理商官方网站: www.chenqinet.cn

相关推荐

后台-系统设置-扩展变量-手机广告位-内容页底部广告位3